JooMix Joomla

Наука и технологии, технологическое оборудование

НИИ ПФП им. АН Севченко БГУ приглашает на работу Инженера-технолога (химик) .


Сфера деятельности:

научная деятельность, единичное и мелкосерийное производство.
Профиль работы: электрохимическая обработка изделий из цветных металлов и их сплавов и нанесения покрытий методом электрохимического осаждения (Анодирование электрохимическое, полирование электрохимическое и др.).


Требования:

•    стаж работы по данному профилю;
•    высшее образование.


Обязанности:

•    создание участка электрохимической обработки;
•    монтаж и мелкое обслуживание  технологического оборудования;
•    разработка технологических процессов электрохимической обработки;
•    участие в проектах лаборатории.

 


Условия труда:

•    место работы – НИИ ПФП им. АН Севченко БГУ ;
•    официальное трудоустройство;
•    заработная плата - от 800 BYN;
•    более подробная информация по телефону+ 375 29 3164432;
•    резюме отправлять на электронную почту Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра..

 

ЛАБОРАТОРИЯ ОБРАБОТКИ И ПЕРЕДАЧИ ИНФОРМАЦИИ (НИИПФП им.А.Н.Севченко БГУ)

ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ:

1. Наноразмерная обработка поверхности конструкционных композиционных материалов, цветных металлов и сплавов для изготовления элементов металлической оптики и перспективной продукции других отраслей.

Визуализаторы инфракрасного и ультрафиолетового лазерного излучения  (патенты РБ №11035,11143). Применяются для настройки и юстировки импульсных и непрерывных лазеров.

 

Подложки диаметром 100 и 150 мм из Аl-сплава с шероховатостью Ra ≤ 10 Нм для получения  пористого анодного оксида алюминия (ПАОА) для сенсоров и гибридных микросхем.

Теплоотводы и теплоотводящие основания для изделий оптоэлектронной техники и мощных полупроводниковых лазеров, концентраторов излучения, растровых структур, многогранных зеркал-отражателей на основе цветных металлов и сплавов, сверхтвёрдых материалов и алмазов

 

Металлические зеркала для спецтехники, систем безопасности, авиационной техники.

 

Медные зеркала для мощных лазерных технологических комплексов по раскрою металлов.

 

Алмазные подложки и теплоотводы с Ra≤0,5нм, фотоприемники УФ- излучения.

 

 

Наноразмерная технология алмазного точения, наноразмерного полирования поверхности изделий производственно-бытового назначения: контактных колец, коллекторов, электродов, газовых конфорок, шильдиков, ювелирных изделий.

Оборудование для шлифовки и полировки сложнофасонных поверхностей технологического инструмента из сверхтвердых материалов и алмазов (волок, дорнов, фильер, проводок, втулок, дюз, калибров, направляющих и др.), (патенты РБ № 2138, 3345,5968).

 

 

 

2. Электрохимическая обработка изделий из цветных металлов и их сплавов и нанесения покрытий методом электрохимического осаждения

Подробнее...  

  Компания "АлЮрТех" - разработка и изготовление металлоизделий любой сложности.

Основные направления работы:

  • изготовление широкой номенкталуры крепежных изделий по ОСТ, ГОСТ, ТУ (втулка резьбовая, бонка, втулка двухрезьбовая ввертываемая, стойка, винт невыпадающий, запрессовочный крепеж, запрессовываемый крепеж, втулка запрессовочная, втулка запрессовываемая и  другие)
  •  производство торцевых употнений и ротационных соединений;
  •  металлообработка различных материалов ( сталь, в том числе и нержавеющаая, сплавы алюминия, бронзу, медь), механическая обработка различных полимерных материалов и пластмасс.
  • токарная и фрезерная ЧПУ механическая обработка, лазерная резка металла и гибка листового металла. Изготовление деталей, профилей  и  механизмов по чертежам заказчика с возможностью разнообразных финишных операций (галтовка, гальваника(цинк, анодирование, электрохимполировка, никелирование, полимерное окрашивание и др.)).
  • конструкторские работы по эскизам и ТУ заказчика с последующим изготовлением деталей, корпусов, систем и механизмов.

Для заказа работ по эксизам, КД и ТУ заказчика необходимо выслать ТЗ по электронной почте Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

Простые единичные заказы мы пока не рассматриваем, если это только не комплексная разработка и изготовление сложного инженерно-технического оборудования или изделия.

Наши контакты:

г. Минск, ш. Могилевское, 11км, здание АБК  УНП: 691303982
Тел.: +375 (29) 750-87-05+375 (17) 299-67-98
Email: Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.     Время работы:пн-пт 9:00-17:00
 
г. Москва, ул. 10-летия Октября
Тел.: + 7 (495) 281-50-56 +7 (985) 922-45-31

Чем выше качество нашей работы - тем больше у нас клиентов!

Пластины арсенида галлия GaAs. Технология изготовления.

 

Подробнее...  

 Исследования и характеристики.

Результаты сравнения структур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии в Научно-исследовательской лаборатории молекулярно-лучевой эпитаксии и нанолитографии НИЯУ МИФИ 04/2017 г.

Для сравнения выбрана базовая структура РНЕМТ квантовой ямой с высокой подвижностью электронов

1) Образец № 435 – опорная РНЕМТ структура на подложке Wafer Technology (Великобритания), (100) ±0.1 градус, epi-ready, 2 дюйма, в индивидуальной таре
2) Образец № 444 – тестовая РНЕМТ структура на подложке, (100), epi-ready, 3 дюйма, в индивидуальной таре.
Тестовая структура и режимы роста полностью совпадали. Режимы отжига подложек полностью совпадали. Слоевая структура приведена на рис. 1.
i- GaAs 8 нм
n-Al0.25Ga0.75As 20 нм
δ-Si  
Al0.25Ga0.75As (спейсер) 5.3 нм
In0.2Ga0.8As 10.5 нм
GaAs (буфер 2) 0.33 мкм
Al0.25Ga0.75As/GaAs СР 25 нм
GaAs (буфер 1) 43 нм
(100) GaAs (подложка)  

Рис. 1. Слоевая структура РНЕМТ.

 

Подробнее...  

 

Технологическое оборудование для изготовления и обработки пластин материалов GaAs.

Установки для резки слитков/ростовых затравок STC-155 и  Mikroslice-4

 2

 

Подробнее...  

Пластины арсенида галлия GaAs и материалов А3В5. Изготовление и рециклинг.

Характеристики пластин арсенида галлия GaAs:Мы изготавливаем пластины арсенида галлия GaAs и других полупроводниковых материалов группы A3B5 по технологии epi-ready с использованием технологии и химических составов корпорации Fujimi (Япония), а также оказывает услуги по восстановлению (реставрации, рециклинг) бывших в использовании пластин.

ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ ПЛАСТИН АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ GaAs

  • Производство дискретных приборов и интегральных схем СВЧ-диапазона,
  • дискретных и матричных фотоприемников,
  • светодиодов, фотокатодов,
  • преобразователей солнечной энергии,
  • детекторов ионизирующих излучений,
  • оптических изделий для ввода-вывода,
  • фокусировки и модуляции ИК-излучения и др.

 

 

Подробнее...  

Оборудование для квазиимпульсного отжига полупроводниковых структур.

Квазиимпульсный отжиг полупроводниковых структур.Печь предназначена для квазиимпульсного отжига полупроводниковых пластин и структур в вакууме, в остаточной атмосфере азота, водорода, мышьяка.

Геометрические и технические параметры печи.

Параметр Значение
Температура синтеза До 1200 0С
Диаметр образцов (пластин) 76 мм
Количество одновременно обрабатываемых пластин 2
Предельный вакуум До 10-2 тор
Рабочее давление От 760 тор до 10-2 тор
Рабочие газы  и смеси N2, H2, AsH3 (10%), О2 (20%)
   

 

Процесс осуществляется в кварцевой ячейке, нагреваемой резистивными элементами (нагревательным блоком). Остаточная атмосфера в ячейке создается посредством откачки форвакуумным насосом до предельного остаточного давления и подачи рабочих газов через регуляторы потока. Технологические клапаны подачи рабочих газов приводняется в действие клавишными выключателями, расположенными на панели управления. Контроль остаточного давления производится комбинированным вакууметром и датчиком давления, которые позволяют также контролировать небольшие избыточные давления в ячейке во время технологического процесса.

Нагревательный блок печи расположен на салазках и является подвижным. Смещение нагревательного блока относительно кварцевой ячейки позволяет быстро вводить и выводить кварцевую ячейку с образцами в зону нагрева. Это техническая особенность позволяет быстро подымать и опускать температуру в ячейке, избегая продолжительных медленных периодов нагрева и охлаждения полупроводниковых пластин. Контроль температуры осуществляется двумя термопарами. Одна расположена в нагревательном блоке, другая контролирует температуру непосредственно внутри ячейки. Оба выхода термопар соединены контроллерами температуры.

Оказываем услуги по отжигу и синтезу полупроводниковых структур.

Скачать доклад СИНТЕЗ ПЛЕНОК ФЕРРИТ-ГРАНАТОВ НА ПОДЛОЖКАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ БЫСТРЫМ ОТЖИГОМ В ВАКУУМЕ.  //  Международной конференции "Нанструктурные материалы-2016".  

 

Подробнее...  

Типоряд широкоапертурных источников ионов ИИК 120,  ИИК 200

(интересные и до сих пор актуальные старые разработки)

PicProd0401Предназначен для следующих технологических операций:
1. ионно-лучевой очистки и активации поверхности;
2. формирования металлических и диэлектричес-ких слоев методом ионно- лучевого распыления;
3. формирования рельефа поверхности высотой в доли единиц - десятки микрометров в эпита-ксиальных гетероструктурах полупроводниковых и диэлектрических материалов;
4. формирования рельефа поверхности в толстых слоях полимерных материалов и удаления полимерных материалов с поверхности.
 

Подробнее...