JooMix Joomla

Оборудование для квазиимпульсного отжига полупроводниковых структур.

Квазиимпульсный отжиг полупроводниковых структур.Печь предназначена для квазиимпульсного отжига полупроводниковых пластин и структур в вакууме, в остаточной атмосфере азота, водорода, мышьяка.

Геометрические и технические параметры печи.

Параметр Значение
Температура синтеза До 1200 0С
Диаметр образцов (пластин) 76 мм
Количество одновременно обрабатываемых пластин 2
Предельный вакуум До 10-2 тор
Рабочее давление От 760 тор до 10-2 тор
Рабочие газы  и смеси N2, H2, AsH3 (10%), О2 (20%)
   

 

Процесс осуществляется в кварцевой ячейке, нагреваемой резистивными элементами (нагревательным блоком). Остаточная атмосфера в ячейке создается посредством откачки форвакуумным насосом до предельного остаточного давления и подачи рабочих газов через регуляторы потока. Технологические клапаны подачи рабочих газов приводняется в действие клавишными выключателями, расположенными на панели управления. Контроль остаточного давления производится комбинированным вакууметром и датчиком давления, которые позволяют также контролировать небольшие избыточные давления в ячейке во время технологического процесса.

Нагревательный блок печи расположен на салазках и является подвижным. Смещение нагревательного блока относительно кварцевой ячейки позволяет быстро вводить и выводить кварцевую ячейку с образцами в зону нагрева. Это техническая особенность позволяет быстро подымать и опускать температуру в ячейке, избегая продолжительных медленных периодов нагрева и охлаждения полупроводниковых пластин. Контроль температуры осуществляется двумя термопарами. Одна расположена в нагревательном блоке, другая контролирует температуру непосредственно внутри ячейки. Оба выхода термопар соединены контроллерами температуры.

Оказываем услуги по отжигу и синтезу полупроводниковых структур.

Скачать доклад СИНТЕЗ ПЛЕНОК ФЕРРИТ-ГРАНАТОВ НА ПОДЛОЖКАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ БЫСТРЫМ ОТЖИГОМ В ВАКУУМЕ.  //  Международной конференции "Нанструктурные материалы-2016".  

 

 

Схема установки квазиимпульсного отжига

 DSCF1358 Установка квазиимпульсного отжига полупроводниковых структур

Установка квазиимпульсного отжига полупроводниковых структур

Установка квазиимпульсного отжига полупроводниковых структур

Установка квазиимпульсного отжига полупроводниковых структур

Установка квазиимпульсного отжига полупроводниковых структур

Установка квазиимпульсного отжига полупроводниковых структур

Установка квазиимпульсного отжига полупроводниковых структур