Наука и технологии, технологическое оборудование
ЛАБОРАТОРИЯ ОБРАБОТКИ И ПЕРЕДАЧИ ИНФОРМАЦИИ (НИИПФП им.А.Н.Севченко БГУ)
ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ:
1. Наноразмерная обработка поверхности конструкционных композиционных материалов, цветных металлов и сплавов для изготовления элементов металлической оптики и перспективной продукции других отраслей.
|
Визуализаторы инфракрасного и ультрафиолетового лазерного излучения (патенты РБ №11035,11143). Применяются для настройки и юстировки импульсных и непрерывных лазеров. |
|
|
Подложки диаметром 100 и 150 мм из Аl-сплава с шероховатостью Ra ≤ 10 Нм для получения пористого анодного оксида алюминия (ПАОА) для сенсоров и гибридных микросхем. |
 |
|
Теплоотводы и теплоотводящие основания для изделий оптоэлектронной техники и мощных полупроводниковых лазеров, концентраторов излучения, растровых структур, многогранных зеркал-отражателей на основе цветных металлов и сплавов, сверхтвёрдых материалов и алмазов
|
|
|
Металлические зеркала для спецтехники, систем безопасности, авиационной техники. |
|
|
Медные зеркала для мощных лазерных технологических комплексов по раскрою металлов.
|
 |
|
Алмазные подложки и теплоотводы с Ra≤0,5нм, фотоприемники УФ- излучения.
|
|
|
Наноразмерная технология алмазного точения, наноразмерного полирования поверхности изделий производственно-бытового назначения: контактных колец, коллекторов, электродов, газовых конфорок, шильдиков, ювелирных изделий. |
|
|
Оборудование для шлифовки и полировки сложнофасонных поверхностей технологического инструмента из сверхтвердых материалов и алмазов (волок, дорнов, фильер, проводок, втулок, дюз, калибров, направляющих и др.), (патенты РБ № 2138, 3345,5968).
|
|
2. Электрохимическая обработка изделий из цветных металлов и их сплавов и нанесения покрытий методом электрохимического осаждения
Пластины арсенида галлия GaAs. Технология изготовления.
Исследования и характеристики.
Результаты сравнения структур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии в Научно-исследовательской лаборатории молекулярно-лучевой эпитаксии и нанолитографии НИЯУ МИФИ 04/2017 г.
Для сравнения выбрана базовая структура РНЕМТ квантовой ямой с высокой подвижностью электронов
| i- GaAs | 8 нм |
| n-Al0.25Ga0.75As | 20 нм |
| δ-Si | |
| Al0.25Ga0.75As (спейсер) | 5.3 нм |
| In0.2Ga0.8As | 10.5 нм |
| GaAs (буфер 2) | 0.33 мкм |
| Al0.25Ga0.75As/GaAs СР | 25 нм |
| GaAs (буфер 1) | 43 нм |
| (100) GaAs (подложка) |
Рис. 1. Слоевая структура РНЕМТ.
Технологическое оборудование для изготовления и обработки пластин материалов GaAs.
Установки для резки слитков/ростовых затравок STC-155 и Mikroslice-4
Пластины арсенида галлия GaAs и материалов А3В5. Изготовление и рециклинг.
Мы изготавливаем пластины арсенида галлия GaAs и других полупроводниковых материалов группы A3B5 по технологии epi-ready с использованием технологии и химических составов корпорации Fujimi (Япония), а также оказывает услуги по восстановлению (реставрации, рециклинг) бывших в использовании пластин.
ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ ПЛАСТИН АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ GaAs
- Производство дискретных приборов и интегральных схем СВЧ-диапазона,
- дискретных и матричных фотоприемников,
- светодиодов, фотокатодов,
- преобразователей солнечной энергии,
- детекторов ионизирующих излучений,
- оптических изделий для ввода-вывода,
- фокусировки и модуляции ИК-излучения и др.
Оборудование для квазиимпульсного отжига полупроводниковых структур.
Печь предназначена для квазиимпульсного отжига полупроводниковых пластин и структур в вакууме, в остаточной атмосфере азота, водорода, мышьяка.
Геометрические и технические параметры печи.
| Параметр | Значение |
| Температура синтеза | До 1200 0С |
| Диаметр образцов (пластин) | 76 мм |
| Количество одновременно обрабатываемых пластин | 2 |
| Предельный вакуум | До 10-2 тор |
| Рабочее давление | От 760 тор до 10-2 тор |
| Рабочие газы и смеси | N2, H2, AsH3 (10%), О2 (20%) |
Процесс осуществляется в кварцевой ячейке, нагреваемой резистивными элементами (нагревательным блоком). Остаточная атмосфера в ячейке создается посредством откачки форвакуумным насосом до предельного остаточного давления и подачи рабочих газов через регуляторы потока. Технологические клапаны подачи рабочих газов приводняется в действие клавишными выключателями, расположенными на панели управления. Контроль остаточного давления производится комбинированным вакууметром и датчиком давления, которые позволяют также контролировать небольшие избыточные давления в ячейке во время технологического процесса.
Нагревательный блок печи расположен на салазках и является подвижным. Смещение нагревательного блока относительно кварцевой ячейки позволяет быстро вводить и выводить кварцевую ячейку с образцами в зону нагрева. Это техническая особенность позволяет быстро подымать и опускать температуру в ячейке, избегая продолжительных медленных периодов нагрева и охлаждения полупроводниковых пластин. Контроль температуры осуществляется двумя термопарами. Одна расположена в нагревательном блоке, другая контролирует температуру непосредственно внутри ячейки. Оба выхода термопар соединены контроллерами температуры.
Оказываем услуги по отжигу и синтезу полупроводниковых структур.
Типоряд широкоапертурных источников ионов ИИК 120, ИИК 200
(интересные и до сих пор актуальные старые разработки)
Предназначен для следующих технологических операций: