JooMix Joomla

Наука и технологии, технологическое оборудование

 

ЛАБОРАТОРИЯ ОБРАБОТКИ И ПЕРЕДАЧИ ИНФОРМАЦИИ (НИИПФП им.А.Н.Севченко БГУ)

ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ:

1. Наноразмерная обработка поверхности конструкционных композиционных материалов, цветных металлов и сплавов для изготовления элементов металлической оптики и перспективной продукции других отраслей.

Визуализаторы инфракрасного и ультрафиолетового лазерного излучения  (патенты РБ №11035,11143). Применяются для настройки и юстировки импульсных и непрерывных лазеров.

  

Подложки диаметром 100 и 150 мм из Аl-сплава с шероховатостью Ra ≤ 10 Нм для получения  пористого анодного оксида алюминия (ПАОА) для сенсоров и гибридных микросхем.

Теплоотводы и теплоотводящие основания для изделий оптоэлектронной техники и мощных полупроводниковых лазеров, концентраторов излучения, растровых структур, многогранных зеркал-отражателей на основе цветных металлов и сплавов, сверхтвёрдых материалов и алмазов

  

Подробнее...  

 

Пластины монокристаллического крабида кремния.

 

 

Подробнее...  

Пластины арсенида галлия GaAs. Технология изготовления.

 

Подробнее...  

 Исследования и характеристики.

Результаты сравнения структур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии в Научно-исследовательской лаборатории молекулярно-лучевой эпитаксии и нанолитографии НИЯУ МИФИ 04/2017 г.

Для сравнения выбрана базовая структура РНЕМТ квантовой ямой с высокой подвижностью электронов

1) Образец № 435 – опорная РНЕМТ структура на подложке Wafer Technology (Великобритания), (100) ±0.1 градус, epi-ready, 2 дюйма, в индивидуальной таре
2) Образец № 444 – тестовая РНЕМТ структура на подложке, (100), epi-ready, 3 дюйма, в индивидуальной таре.
Тестовая структура и режимы роста полностью совпадали. Режимы отжига подложек полностью совпадали. Слоевая структура приведена на рис. 1.
i- GaAs 8 нм
n-Al0.25Ga0.75As 20 нм
δ-Si  
Al0.25Ga0.75As (спейсер) 5.3 нм
In0.2Ga0.8As 10.5 нм
GaAs (буфер 2) 0.33 мкм
Al0.25Ga0.75As/GaAs СР 25 нм
GaAs (буфер 1) 43 нм
(100) GaAs (подложка)  

Рис. 1. Слоевая структура РНЕМТ.

 

Подробнее...  

 

Технологическое оборудование для изготовления и обработки пластин материалов GaAs.

Установки для резки слитков/ростовых затравок STC-155 и  Mikroslice-4

 2

 

Подробнее...  

Пластины арсенида галлия GaAs и материалов А3В5. Изготовление и рециклинг.

Характеристики пластин арсенида галлия GaAs:Мы изготавливаем пластины арсенида галлия GaAs и других полупроводниковых материалов группы A3B5 по технологии epi-ready с использованием технологии и химических составов корпорации Fujimi (Япония), а также оказывает услуги по восстановлению (реставрации, рециклинг) бывших в использовании пластин.

ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ ПЛАСТИН АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ GaAs

  • Производство дискретных приборов и интегральных схем СВЧ-диапазона,
  • дискретных и матричных фотоприемников,
  • светодиодов, фотокатодов,
  • преобразователей солнечной энергии,
  • детекторов ионизирующих излучений,
  • оптических изделий для ввода-вывода,
  • фокусировки и модуляции ИК-излучения и др.

 

 

Подробнее...  

Оборудование для квазиимпульсного отжига полупроводниковых структур.

Квазиимпульсный отжиг полупроводниковых структур.Печь предназначена для квазиимпульсного отжига полупроводниковых пластин и структур в вакууме, в остаточной атмосфере азота, водорода, мышьяка.

Геометрические и технические параметры печи.

Параметр Значение
Температура синтеза До 1200 0С
Диаметр образцов (пластин) 76 мм
Количество одновременно обрабатываемых пластин 2
Предельный вакуум До 10-2 тор
Рабочее давление От 760 тор до 10-2 тор
Рабочие газы  и смеси N2, H2, AsH3 (10%), О2 (20%)
   

 

Процесс осуществляется в кварцевой ячейке, нагреваемой резистивными элементами (нагревательным блоком). Остаточная атмосфера в ячейке создается посредством откачки форвакуумным насосом до предельного остаточного давления и подачи рабочих газов через регуляторы потока. Технологические клапаны подачи рабочих газов приводняется в действие клавишными выключателями, расположенными на панели управления. Контроль остаточного давления производится комбинированным вакууметром и датчиком давления, которые позволяют также контролировать небольшие избыточные давления в ячейке во время технологического процесса.

Нагревательный блок печи расположен на салазках и является подвижным. Смещение нагревательного блока относительно кварцевой ячейки позволяет быстро вводить и выводить кварцевую ячейку с образцами в зону нагрева. Это техническая особенность позволяет быстро подымать и опускать температуру в ячейке, избегая продолжительных медленных периодов нагрева и охлаждения полупроводниковых пластин. Контроль температуры осуществляется двумя термопарами. Одна расположена в нагревательном блоке, другая контролирует температуру непосредственно внутри ячейки. Оба выхода термопар соединены контроллерами температуры.

Оказываем услуги по отжигу и синтезу полупроводниковых структур.

Скачать доклад СИНТЕЗ ПЛЕНОК ФЕРРИТ-ГРАНАТОВ НА ПОДЛОЖКАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ БЫСТРЫМ ОТЖИГОМ В ВАКУУМЕ.  //  Международной конференции "Нанструктурные материалы-2016".  

 

Подробнее...  

Типоряд широкоапертурных источников ионов ИИК 120,  ИИК 200

(интересные и до сих пор актуальные старые разработки)

PicProd0401Предназначен для следующих технологических операций:
1. ионно-лучевой очистки и активации поверхности;
2. формирования металлических и диэлектричес-ких слоев методом ионно- лучевого распыления;
3. формирования рельефа поверхности высотой в доли единиц - десятки микрометров в эпита-ксиальных гетероструктурах полупроводниковых и диэлектрических материалов;
4. формирования рельефа поверхности в толстых слоях полимерных материалов и удаления полимерных материалов с поверхности.
 

Подробнее...