Оборудование для квазиимпульсного отжига полупроводниковых структур.
Печь предназначена для квазиимпульсного отжига полупроводниковых пластин и структур в вакууме, в остаточной атмосфере азота, водорода, мышьяка.
Геометрические и технические параметры печи.
| Параметр | Значение |
| Температура синтеза | До 1200 0С |
| Диаметр образцов (пластин) | 76 мм |
| Количество одновременно обрабатываемых пластин | 2 |
| Предельный вакуум | До 10-2 тор |
| Рабочее давление | От 760 тор до 10-2 тор |
| Рабочие газы и смеси | N2, H2, AsH3 (10%), О2 (20%) |
Процесс осуществляется в кварцевой ячейке, нагреваемой резистивными элементами (нагревательным блоком). Остаточная атмосфера в ячейке создается посредством откачки форвакуумным насосом до предельного остаточного давления и подачи рабочих газов через регуляторы потока. Технологические клапаны подачи рабочих газов приводняется в действие клавишными выключателями, расположенными на панели управления. Контроль остаточного давления производится комбинированным вакууметром и датчиком давления, которые позволяют также контролировать небольшие избыточные давления в ячейке во время технологического процесса.
Нагревательный блок печи расположен на салазках и является подвижным. Смещение нагревательного блока относительно кварцевой ячейки позволяет быстро вводить и выводить кварцевую ячейку с образцами в зону нагрева. Это техническая особенность позволяет быстро подымать и опускать температуру в ячейке, избегая продолжительных медленных периодов нагрева и охлаждения полупроводниковых пластин. Контроль температуры осуществляется двумя термопарами. Одна расположена в нагревательном блоке, другая контролирует температуру непосредственно внутри ячейки. Оба выхода термопар соединены контроллерами температуры.
Оказываем услуги по отжигу и синтезу полупроводниковых структур.
