Предназначен для следующих технологических операций:

1. ионно-лучевой очистки и активации поверхности;

2. формирования металлических и диэлектричес-ких слоев методом ионно- лучевого распыления;

3. формирования рельефа поверхности высотой в доли единиц - десятки микрометров в эпита-ксиальных гетероструктурах полупроводниковых и диэлектрических материалов;

4. формирования рельефа поверхности в толстых слоях полимерных материалов и удаления полимерных материалов с поверхности.

 

Оптика, микроэлектроника, спинтроника

 

Принцип работы основан на использовании двухкаскадного самостоятельного разряда низкого давления.

 

Низкоэнергетический холловский источник ионов предназначен для ассистирования процессов ионно-лучевого осаждения металлических покрытий (омических контактов) в установке двойного ионно-лучевого осаждения-распыления и для ассистирования процессов нанесения многослойных оптических функциональных покрытий методом электронно-лучевого испарения

 

Оптика, микроэлектроника,спинтроника

 

разработан на базе Кауфмановского источника ионов холловского типа с открытым торцом.

 

 

 ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

позволяет получать широкие пучки ионов со средней энергией десятки-сотни электрон-вольт и с плотностью ионного тока – единицы миллиампер на квадратный сантиметр.

Плазменный модуль СВЧ предназначени для финишной  очистки электропроводящих и диэлектрических деталей сложной формы
(режущих и резьбовых кромок в том числе); удаление загрязнений органической природы (следов масла, химических реактивов, отпечатков пальцев) на рабочей поверхности изделий, в том числе медицинского и научно-технического применения; финишная обработка стеклянных и керамических изделий; обработка оптически гладких поверхностей и участков.

 

Оптика, микроэлектроника

 

Внутрь камеры СВЧ-печи помещена вакуумная ячейка с диэлектрическими стенками, давление в которой поддерживается на уровне 1 Тор. На рисунке 1 показан внешний вид предлагаемого варианта генератора СВЧ-плазмы вместе со схемой модифицированной конструкции газоразрядной камеры. Камера представляет собой реактор 1 внутренним диаметром 110 мм и длиной 140 мм, закрытый с торца фторопластовыми фланцами 2. Фланец 3 снабжен отверстиями для откачки вакуума и напуска рабочего газа. Образцы через крышку реактора 4 помещаются в центре на столике 5. Откачка из объема колбы производится форвакуумным насосом до давления ниже 0.06 Тор. Рабочий газ напускается до рабочего давления 0.5...0.8 Тор. Базовой моделью служит СВЧ-печь производства фирмы "Samsung" или "LG". Выходная мощность СВЧ-излучения со-ставляет 800 Вт на рабочей частоте 2.45 ГГц (магнетрон OM 75 S (31). На рисунке показано свечение плазмы при работе плазменного модуля СВЧ. Возбуждение СВЧ-разряда производится путем выбора режимов работы ручками стандартной па-нели управления. Задержка между срабатыванием СВЧ-магнетрона и моментом возбуждения объемного разряда не пре-вышает 3 с. После возбуждения СВЧ-разряда, нагрев кварцевой подставки происходит в основном путем теплопередачи от кварцевой колбы, а нагрев стенок СВЧ-печи является незначительным. Анализ теплового баланса показывает, что более 80% мощности СВЧ-излучения поглощается в плазме СВЧ-разряда. Стабильное и равномерное горение СВЧ-разряда на кислороде во всем диапазоне рабочих давлений является перспективным для травления органических материалов. Следы отпечатков пальцев удаляются с поверхности арсенид-галлиевых пластин O40 мм и кремниевых пластин O76 мм после 5...6 включений магнетрона длительностью 30 с каждое в течение 5 мин. Травление полиимида производится в дискретном режиме, с промежуточными остываниями до комнатной температуры (для исключения процесса графитизации) и со скоростью до 80 нм/мин при неравномерности менее 20% по пластине диаметром 100 мм.

По всем вопросам обращаться:

Корякин Сергей Владимирович Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра. т. +375 29 3164432